第134章 一片坦途的集成电路，成立联合攻关项目组

就在秦风回到沈阳没几天的时间，齐齐哈尔化工厂这边传来了一个好消息。
第一批黑索金炸药正式下线，这也意味着龙国已经具备了生产第二代高能炸药的能力。
未来龙国的炮弹、火箭弹、子弹、导弹战斗部等火药动能武器的威力都将得到进一步的提升。
这对于龙国的武器装备而言，也是一个不小的全面提升，意义非凡。
在收到来自齐齐哈尔化工厂的捷报之后，秦风倒是没有特意去一趟，他有着更重要的事情要做。
这件事情则是和半导体固件产业息息相关。
龙国半导体研究所位于沈阳皇姑屯火车站附近。
和其他研究所一样，现在的半导体研究所相较于成立之初，规模扩充了不少，有着三十多人的规模。
特别是随着多所高校联合开办了联合培训班之后，不出几年的时间就将有源源不断的人才加入其中。
秦风这次之所以来到这里，就是因为黄工给他打了一通电话，说是场效应管，也就是MOS管已经造出来。
在听到这个消息后，他马不停蹄的赶了过来，也见到了他们生产出来的第一批MOS管。
秦风从托盘当中用镊子小心翼翼夹起了一个如同米粒一般大小的晶体管。
这根晶体管呈扁平状，同样有着三引脚。
不过场效应管采用的是表面贴装式封装工艺，其三引脚也是贴片式的。
所以它在体型上相较于三极管要小很多。
就比如眼前这一根场效应管，其引脚之间的间距仅有1.3毫米。
而三极管的三引脚属于直插式的，间距足足有5毫米。
所以别看这两根晶体管长相差别不大，但内在却是天差地别。
内在里双极结型三极管是由发射区、基区、集电区三个掺杂区域构成，形成两个PN结，也就是发射结和集电结。
MOS管的结构是由栅极、源极、漏极构成。
故而这根小小的MOS管更加适用于高频、高集成电路等应用场景当中。
而双极结型三极管通常用于低频、大功率场景。
可以说这根小小的MOS管就是想要研制集成电路的前置科技。
当看到这根毫不起眼的MOS管之时，秦风深吸了一口气，脸上尽是隐藏不住的喜色。
“黄工、王工，你们两个可是立下了大功啊。”
黄昆闻言连连摆手道：“秦副部，要是没有你的话，别算这个场效应管了，就算是锗晶体管我们估计都折腾不出来。
更何况我们也只是按照你提供的图纸和资料把它造出来的。
要说功劳最大的还当属你。”
一旁的王守武也点头道：“我赞同黄工的话。”
他的话依旧还是那般简短。
秦风则是摇头说道：“是你们的功劳就跑不掉，别看这根晶体管体型如此小，这可是接下来我们研制集成电路的关键。”
集成电路！
他们已经不是第一次从秦风口中以及他的资料中了解到这个集成电路了，对于这项技术也有了一定的概念。
说白了集成电路就是把一个电路中所需的晶体管、电容、电阻、电感等元件及布线互连在一起，制作在一小块或几小块半导体晶片上。
然后再将其封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
是使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠方面发展的关键一步。
所以他们也明白集成电路对于接下来发展的意义有多重要。
“秦副部，那接下来我们的任务就是研制集成电路了吗？可我们对于逻辑电路并不是非常精通，恐怕需要电子计算机研究所这边的帮助。”
秦风点头道：“当然，这项任务需要富拉尔基重机厂、沈机厂、无线电厂、电机所和光机所等共同协作才能完成。
我打算以你们半导体研究所牵头负责成立一个集成电路攻关组，共同协助研制集成电路。”
黄昆和王守武闻言对视了一眼，双方都能够看待彼此眼神当中那份掩饰不住的跃跃欲试。
“秦副部，只要有你在我们就不担心研制不出来。
不过既然是集成电路，那需要我们做到什么程度？”
秦风沉吟了片刻。
现在光机所那边生产的接触式光刻机分辨率是5-10微米，现在虽然已经可以兼容2英寸和3英寸的晶圆片，但想要集成过多的晶体管逻辑门电路还是有些困难。
除非能够研制出分辨率在2-3微米之间的接近式光刻机，但这非一朝一夕可以解决。
“先研制集成10到20个晶体管的逻辑门电路。
我给你们半年到一年的时间。
这对于你们来说应该没有太大的问题吧？”
“一年的时间吗？我们不敢说一定可以完成，但我们一定会尽力。”
黄工还没有接触到图纸，所以他也没有底气说出一定可以的保证，这也是作为科研人员的严谨。
他也做不到为了奉迎上官说出自己做不到的承诺。
他们不清楚，秦风自然是清楚的。
他之所以有信心在6-12个月之内研制出，自然是因为这条路已经是一条光明坦途，眼前已经没有了任何的阻碍。
因为想要研制出集成20个晶体管的电路板最大的难题基本上全都已经解决了。
首先就是难度最高的电路布局图。
其实不用秦风出手，电子计算机研究所的那帮数学家们就可以解决这个问题。
然后便是将设计好的电路图转化为物理掩膜版，这需要确保图案精度可以达到5-10微米，这一点就需要沈机厂那边制造高精度图形发生器，目前也只有沈机厂的高精度机床可以做到。
还有就是掩膜版还需要精度很高的光学透镜。
现在光机所那边为鹰击反舰导弹研制红外导引头研制的光学透镜可以直接用到这上面。
接下来就是晶圆制备与预处理，而这就涉及到了晶圆厂。
目前半导体研究所这边下属的晶圆厂规模还是比较小的。
接下来要搞集成电路的话，晶圆厂的规模就要做的更大，而且还需要制作2英寸和3英寸的晶圆，这样可以增加集成度。
这第四步就是光刻与蚀刻了。
目前所装备的接触式光刻机以及湿法蚀刻机前几个月就开始量产，这最难的一步反而是可以直接越过。
第五步是掺杂和薄膜沉积，用的还是制造晶体管时现成的工艺。
第六步是金属化与互连。
原理和制造晶体管时是一样的。
真空蒸发台沉积铝金属层——光刻、蚀刻定义导线图案——电镀设备加厚金属层。
这一步同样也已经解决。
第七步则是测试与封装。
这里需要用到探针测试台用于检测电路。
最后就是用陶瓷封装技术，用陶瓷-金属封装工艺制成所需的电路板。
所以这个集成电路项目唯一需要新增的设备其实就是将电路图转化为物理掩膜版的高精度图形发生器。
这也是秦风有信心在6个月时间就研制出集成电路的信心所在。


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